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膜界面高效冷却诱导成核及自动晶种添加过程研究进展



时间:2022-01-13 作者: 点击:[]

冷却结晶是重要的晶体制备和提纯技术,绿色环保、能耗低。但是,目前冷却结晶主要通过人工或外界添加晶种方式实现成核/生长控制,控制精度低,难以实现过程自动化。近日,Industrial & Engineering Chemistry Research报道了大连理工大学的姜晓滨教授、肖武副教授在膜冷却结晶过程控制方法领域的最新研究进展(Ind. Eng. Chem. Res. 2022, 61, 765-776)。

研究团队针对传统冷却结晶存在的问题,提出利用有机中空纤维膜优异的界面疏水特性和导热性能,将中空纤维膜换热器引入结晶过程调控,作为高效冷却诱导晶体成核和过程调控的核心元件。首先,以硫脲水溶液为研究对象,通过分析晶种在膜界面的微力场模型,定义了晶种从膜界面滑动或脱附的标准判据K,进而建立了“膜界面冷却诱导成核-晶种膜界面自动脱附”的调控机制,从根本上改变了晶种制备和添加的方式,显著提高过程自动化程度(图1)。

图1膜辅助冷却结晶(MACC)自动添加晶种机制示意图

在膜诱导成核的过程中,过冷溶液首先在膜过冷界面上被诱导产生晶种,然后晶种生长至一定的临界尺寸,在膜界面微力场作用下从膜界面脱附进入膜组件壳侧;根据脱附判据,晶种脱附过程高度依赖于晶种尺寸的大小,因此自动添加晶种的过程变得自动且可控,尺寸均一的晶种通过膜组件输送至结晶器,在主体溶液的低过饱和度下完成后续的生长/熟化过程。基于高速显微摄像机的在线观测实验也验证了上述模型,晶种在膜界面生长至一定尺寸,超过临界尺寸的晶种自动从膜界面脱附(图2)。

图2膜界面诱导成核、晶种生长和自动脱附的在线观测结果

在线颗粒仪记录了6种冷却结晶操作条件下晶体数量随时间变化的趋势,其中RBI晶体反射指数与晶体数量呈正相关关系。与直接冷却结晶和添加晶种的冷却结晶相比,膜冷却结晶过程(PTFE MACC和PES MACC)的成核数量较少,没有发生明显的爆发成核或二次成核,过程更为温和可控(图3)。膜冷却结晶的最终晶体产品具有规则形状、无明显缺陷、较大的晶体粒径和更集中的粒度分布(平均粒径>1.35 mm,C.V.= 7.7),晶体纯度由工业级提升为特优级(>99.5 wt%)。

图3不同冷却结晶操作模式下晶体数量随时间变化的趋势

以上研究成果作为支撑封面文章发表在化学工程领域重要期刊Industrial & Engineering Chemistry Research,第一作者为肖武副教授,第二作者为何泽漫硕士,通讯作者为姜晓滨教授。研究工作得到了基金委创新研究群体基金、国家重点研发计划项目、国家自然科学基金、中央高校基本科研基金、辽宁省创新人才支持计划的资助。

全文链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.iecr.1c03984?ref=pdf

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